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ALD 原子層沉積原理通過在工藝循環(huán)周期內(nèi)分步向真空腔內(nèi)添加前驅(qū)體、實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度的精確控制。區(qū)別于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉積超薄的、無針孔和顆粒的膜層，例如在3D結(jié)構(gòu)上沉積幾個(gè)納米厚的薄膜，同時(shí)具有出色的均勻性和優(yōu)秀的保形比。